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Nanoprep NP12


Nanoprep NP12
Activation plasma des surfaces
Machine_Nanoprep NP12



Contact :

Sylwester BARGIEL
Bâtiment TEMIS Sciences
03 81 66 63 02 (Bureau)
sylwester.bargiel@femto-st.fr


Site:


Salle Blanche TEMIS
Zone Wafer Bonding






Fonctionnement :

L’activation plasma repose sur le principe de la décharge par barrière diélectrique : la décharge est réalisée entre deux électrodes séparées par un espace gazeux qui est ionisé par l'application d'une tension de quelques kilovolts. Afin d'éviter la formation d'un arc électrique, qui conduirait à une très forte dégradation du matériau, un isolant électrique solide (céramique) est introduit entre les électrodes.

La décharge plasma est limitée à la surface des électrodes, un déplacement de celles-ci est donc nécessaire pour traiter le wafer.

Fonctionnement_Nanoprep NP12



Le traitement par plasma induit une modification structurelle des surfaces par la formation de radicaux libres. L’effet principal est une augmentation de la tension de surface : obtention d’une surface hydrophile.


Caractéristiques techniques :

Procédé très rapide (env. 5s)
2 lignes de gaz : N2, O2 (ou Ar) dépendant de la surface à activer
Epaisseur maximale tolérée du substrat: 1.5mm
Distance wafer-électrode à régler pour obtenir un plasma homogène et efficace
Puissance générateur : 200W à 800W
Vitesse de balayage : 10 à 100mm/s
Débit gaz jusqu’à 100 slm


Exemple d’application :

L’activation plasma permet, par exemple, d’obtenir une soudure résistante en direct bonding dès 400°C alors qu’une température de 1100°C est nécessaire sans celle-ci. Elle peut être également utilisée avant une enduction de résine pour obtenir une meilleure adhésion et une meilleure uniformité.


Document lié à la machine :

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