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Pulvérisation Cathodique / Evaporateur : PLASSYS


Pulvérisation Cathodique / Evaporateur : PLASSYS MP 400
Pulvérisation Cathodique PLASSYS



Contact :

Cyril MILLON
Bâtiment TEMIS Sciences – Bureau N3-12
03 63 08 63 02 (Bureau)
03 63 08 23 77 (Salle Dépôt)
cyril.millon@femto-st.fr


Site :

Salle Blanche TEMIS
Zone Dépôt






Fonctionnement :

Pulvérisation magnétron DC : cible conductrice
Le porte-substrat chauffant va permettre, pour certains cas, de réduire les contraintes mécaniques des couches déposées favorisant une meilleure adhérence.

Caractéristiques techniques :

- Cathodes : 3 cathodes magnétron 4 pouces installées en bas (sputter up)
- Porte substrat chauffant (jusqu’à 450°C)
- Source d'évaporation effet joule
- Wafer unitaire positionné en haut

Matériaux déposés :

- Cibles disponibles : Cr, Au, Al, Ti, W et Cu
- Alliage : Ni-Cr 50-50, AU4G (alliage Al-Cu-Mg-Si) (toute autre cible 4" conductrice disponible sur le site ou fourni par les soins du demandeur)
- Le dépôt Ni est indisponible en raison de son magnétisme (boite d’aimants HS), en revanche, la cible Ni 4" pourrait être utilisée sur une autre machine, si besoin.

Exemples de réalisation :

- Dépôt Au-Cr pour gravure chimique du quartz
- Dépôt de W (matériau réfractaire) pour thermocouple