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Pulvérisation Cathodique Réactive : PLASSYS


Pulvérisation Cathodique Réactive : PLASSYS MP 450S
PULVERISATION REACTIVE D'ALN : PLASSYS


Contact :

Cyril MILLON
Bâtiment TEMIS Sciences – Bureau N3-12
03 63 08 63 02 (Bureau)
03 63 08 23 77 (Salle Dépôt)
cyril.millon@femto-st.fr


Site :

Salle Blanche TEMIS
Zone Dépôt



Fonctionnement :

A l'aide du rajout d'un gaz réactif dans le plasma d'Ar, cette machine permet de déposer des couches composées comme les oxydes et les nitrures notamment des couches minces piézoélectriques en nitrure d'aluminium AlN.


Caractéristiques techniques :

- gaz : Ar, O2 et N2
- cathode : magnétron 6 pouces
- alimentation : Advanced Energy 1.2 kW en RF
- polarisation substrat : RF 300 W max
- porte substrat : 1 échantillon jusqu'à 4 pouces
- chauffage substrat : jusqu'à 800 °C
- sas de chargement pompé en vide primaire
- pompage secondaire : pompe cryogénique
- Etuvage de la chambre à 130°C


Matériaux déposés :

Les matériaux pulvérisés avec cette machine sont : AlN, TiN, TiO2 et SiO2


Exemples de réalisation :

Dépôt d’AlN piézoélectrique pour des actionneurs MEMS.

Dépôt AlN-Pulvé AlN Plassys

Dépôt d’AlN piézoélectrique pour des actionneurs MEMS



Références :

- Static and dynamic characterization of AlN-driven microcantilevers using optical interference microscopy
K. Krupa, M. Jozwik, C. Gorecki, A. Andrei, L. Nieradko, P. Delobelle, L. Hirsinger
Optics and Lasers in Engineering, Volume 47, Issue 2, February 2009, Pages 211–216

- AlN as an actuation material for MEMS applications: the case of AlN driven multi-layered cantilevers
A. Andrei, K. Krupa, M. Jozwik, P. Delobelle, L. Hirsinger, C. Gorecki, L. Nieradko, C. Meunier
Sensors and Actuators A: Physical, Volume 141, Issue 2, 15 February 2008, Pages 565–576