Départements de recherche

Paillasse de Si poreux


Paillasse de Si poreux
Paillasse de Si poreux



Contact :


Bernard GAUTHIER-MANUEL
Bâtiment TEMIS Sciences
03 63 24 24 90 (Bureau)
bgauthier@femto-st.fr

Site :

Bâtiment TEMIS Sciences
Salle Chimie



Fonctionnement :

Le silicium poreux est obtenu par attaque d'un substrat de silicium monocristallin dans une solution d'acide fluoridrique concentré. Un courant continu et constant permet l'attaque du matériau en profondeur et la formation sous la surface d'une couche homogène de silicium poreux. La porosité (diamètre des pores, morphologie) et la profondeur sont contrôlées par les paramètres électrochimiques comme la densité de courant et le temps. Cette porosité peut varier de 20 à 90%, l'épaisseur de quelques nanomètres à quelques centaines de micromètres.
La taille des substrats traités à l'Institut est de 4 pouces.


Caractéristiques techniques :

- 1 bac HF : anodisation du substrat silicium (électrolyse à l'acide fluorhydrique)
- 2 bacs de rinçage (eau carbonate de calcium)
- 2 bacs d'eau DI à débordement et à bullage azote pour le rinçage
- 1 bac d'acide acétique dilué pour retirer les particules de carbonate restant sur le substrat et le porte substrat
- 1 bac d'isopropanol