Canon à éléctrons pour couche mince optique

De la recherche fondamentale au partenariat industriel

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L'équipement est pourvu d'un ensemble de contrôle in - situ de l'épaisseur des couches déposées par balance à quartz.

Caractéristiques :

Porte substrat rotatif : 5 wafers de 4 pouces ou 7 wafers de 3 pouces
Pompage turbomoléculaire avec bypass
Canon à électrons : 10 KW associé à une tourelle de 2 creusets de 7cc et 2 creusets de 15 cc.
Canon à ions pour le décapage des substrats et l'assistance au dépôt : energie de 50 à 1200 eV
Gaz : Ar, O2
Contrôle in - situ : quartz piloté par un contrôleur XTC/2. Le quartz est déporté ce qui permet d'ajuster la vitesse de dépôt avant l'ouverture du cache.
Chauffage des échantillons en face avant : jusqu'à 250°C
L'enceinte est chauffée à 60 °C lors de la remise à l'air pour éviter l'absorbtion d'eau sur les parois
L'installation est entièrement pilotée est controlée par ordinateur ce qui permet de réaliser un ensemble important de multi-couches préprogrammés
L'homogénéité obtenue est de l'ordre de 4% sur 4 pouces et la précision en épaisseur est de l'ordre de 0.5 nm.
Cette machine est plus spécialement adaptée aux multi-couches optiques utilisées comme filtres interferrométriques

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