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PECVD PLASSYS


PECVD PLASSYS
PECVD PLASSYS

Caractéristiques :

La polarisation est appliquée sur le plateau supérieur et l'echantillon est déposé sur le plateau inférieur chauffé de l'ambiante jusqu'à 450°C.

  • Gaz : SiH4, NH3, N2O, Ar, SF6.
  • Couches déposées : Silice (SiO2), Nitrure de Silicium (Si3N4), Oxynitrure de silicium, silicium amorphe.