De la recherche fondamentale au partenariat industriel

Bâti de gravure ICP-DRIE STS MPO 562

Bâti de gravure ICP-DRIE STS MPO 562
STS5




Contacts :
Samuel QUESTE
Site TEMIS, bureau 20
(03 63 08) 21 06
samuel.queste@femto-st.fr

Site :
Salle blanche TEMIS
Zone Gravure





Fonctionnement :

La gravure ionique réactive consiste à exposer le substrat à un plasma provenant de l'ionisation d'espèces gazeuses judicieusement choisies. Dans le cas d’une gravure profonde, le plasma est densifié à l’aide d’inductances stimulées par des signaux à 13,56MHz. Ce procédé est nommé ICP pour « Inductance Coupled Plasma ». Dans ce cas, il est possible d’atteindre des vitesses de gravures nettement plus grandes.


Caractéristiques techniques :

- Source Plasma ICP : 3kW RF
- Source bias : 1.5 kW RF
- Clampage mécanique avec porte substrat réfrigéré de -20 à 80°C
- Pompe secondaire turbomoléculaire (2000 l/s)
- Taille de wafer : de puces à 6 pouces
- Gaz disponibles : SF6, CF4, C4F8, He, O2 et Ar


Type de matériaux gravés :

Silice SiO2, Nitrure de Silicium Si3N4, Pyrex, Ortho-phosphate de Gallium GaPO4, Langasite LGS, Langatate LGT, Silice fondue, Quartz, Niobate de Lithium LiNbO3, Titanate de Plomb PbTiO3…


Tableau des performances de gravure :

GravureSTS12


GravureSTS2

Gravure Quartz coupe AT d’une profondeur de 42µm avec une verticalité de flancs de 85°

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