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Bâti de gravure profonde DRIE, ALCATEL

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Bâti de gravure profonde DRIE, ALCATEL
Bâti de gravure profonde DRIE, ALCATEL

Il est maintenant possible de graver de façon anisotrope (ou isotrope) le silicium par voie sèche par une technologie appelée "deepRIE". C'est une méthode qui allie en fait le procédé de dépôt et de gravure plasma. Au fur et à mesure que le silicium est usiné, le procédé permet de déposer un composé fluoré sur les parois usinées, afin de les passiver. Il existe donc des cycles de gravure-dépôt avec des gaz et des temps bien précis pour graver en profondeur et anisotropiquement le silicium indépendamment de son orientation.

Caractéristiques :

Paramètres ajustables :

  • Pression (1 à 10 Pa)
  • Débits de gaz (50 à 500 sccm)
  • Température du porte substrat
  • Puissance RF de la source (1000 à 2000 W)
  • Puissance du porte substrat (jusqu'à 200 W)
  • Temps de cycle SF6/C4F8

Masques utilisés :

  • Résine
  • Silice
  • Métal (Nickel, Chrome, Aluminium)

Porte Substrat prévu pour des wafers 4 pouces

Exemples de réalisation :

Microrésonateur

Microrésonateur

Microactionneur électrostatique

Microactionneur électrostatique

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