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Bâti de gravure DRIE-ICP non-Silicium (STS-LPX APS)


Bâti de gravure DRIE-ICP non-Silicium (STS-LPX APS)
STS5




Contact :

Djaffar BELHARET
Bâtiment TEMIS Sciences - Bureau N1-22
03 81 66 55 83 (Bureau)
03 63 08 23 74 (Salle Gravure)
djaffar.belharet@femto-st.fr


Site :

Salle blanche TEMIS
Zone Gravure


Fonctionnement :

La gravure ionique réactive consiste à exposer le substrat à un plasma provenant de l'ionisation d'espèces gazeuses judicieusement choisies. Dans le cas d’une gravure profonde, le plasma est densifié à l’aide d’inductances stimulées par des signaux à 13,56MHz. Ce procédé est nommé ICP pour « Inductance Coupled Plasma ». Dans ce cas, il est possible d’atteindre des vitesses de gravures nettement plus grandes.


Caractéristiques techniques :

- Source Plasma ICP : 3kW RF
- Source bias : 1.5 kW RF
- Clampage mécanique avec porte substrat réfrigéré de -20 à 40°C
- Pompe secondaire turbomoléculaire (2000 l/s)
- Taille de wafer : de puces à 4 pouces
- Gaz disponibles : SF6, CF4, C4F8, He, O2 et Ar


Type de matériaux gravés :


Silice SiO2, Nitrure de Silicium Si3N4, Pyrex, Ortho-phosphate de Gallium GaPO4, Langasite LGS, Langatate LGT, Silice fondue, Quartz, Niobate de Lithium LiNbO3, Titanate de Plomb PbTiO3


Tableau des performances de gravure :

GravureSTS12



Exemple de réalisation :

GravureSTS2

Gravure Quartz coupe AT d’une profondeur de 42µm avec une verticalité de flancs de 85°