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Nanoprep NP12

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Nanoprep NP12

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Activation plasma des surfaces



Contact :

Sylwester BARGIEL
Bâtiment TEMIS Sciences
03 81 66 63 02 (Bureau)
sylwester.bargiel@femto-st.fr


Site:


Salle Blanche TEMIS
Zone Wafer Bonding






Fonctionnement :

L’activation plasma repose sur le principe de la décharge par barrière diélectrique : la décharge est réalisée entre deux électrodes séparées par un espace gazeux qui est ionisé par l'application d'une tension de quelques kilovolts. Afin d'éviter la formation d'un arc électrique, qui conduirait à une très forte dégradation du matériau, un isolant électrique solide (céramique) est introduit entre les électrodes.

La décharge plasma est limitée à la surface des électrodes, un déplacement de celles-ci est donc nécessaire pour traiter le wafer.



Le traitement par plasma induit une modification structurelle des surfaces par la formation de radicaux libres. L’effet principal est une augmentation de la tension de surface : obtention d’une surface hydrophile.


Caractéristiques techniques :

Procédé très rapide (env. 5s)
2 lignes de gaz : N2, O2 (ou Ar) dépendant de la surface à activer
Epaisseur maximale tolérée du substrat: 1.5mm
Distance wafer-électrode à régler pour obtenir un plasma homogène et efficace
Puissance générateur : 200W à 800W
Vitesse de balayage : 10 à 100mm/s
Débit gaz jusqu’à 100 slm


Exemple d’application :

L’activation plasma permet, par exemple, d’obtenir une soudure résistante en direct bonding dès 400°C alors qu’une température de 1100°C est nécessaire sans celle-ci. Elle peut être également utilisée avant une enduction de résine pour obtenir une meilleure adhésion et une meilleure uniformité.


Document lié à la machine :

Notice d’utilisation: